Резисты для электронной литографии традиционно применяются в производстве фотошаблонов, а также в прототипировании микро - и наноэлектронных устройств. Электронные резисты обычно позволяют получать структуры размерами до десятков нанометров.
Основные характеристики
|
Резист |
Толщина плёнки, мкм |
Другие методы экспонирования |
Проявитель |
Сниматель |
|
Позитивные резисты |
||||
|
0,09-1,75 |
- |
АР 600-50, АР 600-55 |
АР 300-70, АР 300-76 |
|
|
0,09-1,87 |
- |
АР 600-55, АР 600-56 |
АР 600-71, АР 300-76 |
|
|
0,08-0,4 |
- |
АР 600-546, 600-549 |
АР 600-71, АР 300-76, АР300-73 |
|
|
45-150 |
рентген, ГУФ |
АР 600-51 |
АР 300-76 |
|
|
0,6 |
я-, г-линии |
АР 300-47 |
АР 600-71, АР 300-76 |
|
|
0,5-2,0 |
я-линия, ГУФ, рентген |
Разработчик нано ПММА |
АР 600-71, АР 300-76, АР300-72 |
|
|
0,5-5,0 |
я-, г-. ч-линии, рентген, ГУФ |
0.26 Н МИФ 0.24 Н МИФ МИБ |
||
|
Негативные резисты |
||||
|
0,4; 0,1 |
- |
АР 300-46, 300-47 |
АР 600-71, АР 300-76, АР300-73 |
|
|
0,4; 0,1 |
- |
АР 300-47, АР 300-26 |
АР 600-71, АР 300-76, АР300-73 |
|
|
0,4; 0,1 |
- |
АР 300-46, 300-26 |
АР 300-73, АР 300-76 |
|
|
1,4; 0,25 |
- |
АР 300-47, 300-26 |
АР 600-71, АР 300-73, АР300-76 |
|
|
1,5 — 20 |
я-линия |
АЗ 826mif |
АЗ® 100 съемник |
|
|
0,5 |
ГУФ |
мА-д-333, мА-д 532, миф 726 |
мА-Р 404 |
|
|
0,5 |
- |
0.26 Н ТМАНЫ |
||
Условия поставки
Резисты для электронно-лучевой литографии поставляются под заказ
Упаковка
Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма
Хранение и транспортировка
Срок годности и условия хранения резистов для электронной литографии указаны в техническом описании на данные продукты. Резистов Заморозка недопустима.
