Одним из методов формирования областей с заданным типом проводимости в полупроводниковом производстве является диффузия. Источниками веществ (бора или фосфора, например) при диффузии могут являться различные жидкости либо газы. Также существуют твердотельные источники диффузантов. Их преимуществом по сравнению с прочими источниками является однородность легирования и безопасность. Такие источники наилучшим образом подходят для различных научно — исследовательских организаций и институтов. Наша компания предлагает планарные источники для диффузии от ведущих мировых производителей (Saint Gobain и Techneglas).
Основные характеристики
Легирующая примесь
Тип источника
Рабочая температура, °C
Толщина слоя диффузанта, Å
Слоевое сопротивление (Ом/□)
Диапазон доз, Атомов/см2
Фосфор
PH-900
≤ 900
100-650
15-150
1,4×1014-3,9×1015
Фосфор
PH-950
≤ 950
125-1200
5-60
3,2×1014-2,4×1015
Фосфор
PH-1000N
≤ 1000
175-1200
3-25
8,4×1014-1,1×1016
Фосфор
PH-1025
≤1025
100-1250
3-20
5,3×1015-1,4×1016
Фосфор
TP-470
950 — 1150
-
<1-7
-
Фосфор
TP-250
800-950
-
5-100
-
Бор
BN-975
775 — 1000
300-2000
2000-20
1,3×1014-3,6×1015
Бор
BN-1050
975 — 1100
400-1000
20-5
3,6×1015-1,6×1016
Бор
BN-1100
1000 — 1100
200-800
40-5
2,3×1015-1,6×1016
Бор
BN-1250
1050 — 1200
200-1000
40-1,5
2,3×1015-9,0×1016
Бор
BN-HT
1000 — 1200
200-1000
20-1
2,3×1015-4,9×1016
Бор
GS-126
<1000
-
>15
-
Бор
GS-139
975-1075
-
35-5
-
Бор
GS-183
1000-1100
-
20-5
-
Бор
GS-245
1050-1125
-
10-3
-
Бор
GS-278
1100-1175
-
5-1
-
Условия поставки
Планарные источники диффузии поставляются под заказ.
Упаковка
Планарные источники диффузии упакованы в герметичные пакеты, заполненные инертным газом.
Хранение и транспортировка
Срок годности планарных источников диффузии неограничен при условии хранения в инертной атмосфере.
