Серия мегавольтных просвечивающих электронных микроскопов JEM-ARM1300 и JEM-ARM1000 используется в ведущих университетах и научно-исследовательских центрах мира для проведения исследований в областях материаловедения и биомедицины.
Как известно, разрешение просвечивающего электронного микроскопа определяется формулой d = 0.65Cs0.25λ0.75, где Cs – коэффициент сферических аберраций, а λ – длина волны электрона. В мегавольтном ПЭМ последняя величина является малой, и благодаря этому достигается высокое разрешение порядка одного Ангстрема даже при довольно больших расстояниях между полюсными наконечниками.
Ключевым преимуществом мегавольтных ПЭМ над более низковольтными моделями является высокая проникающая способность высокоэнергетического электронного пучка, что позволяет работать с «толстыми» образцами. Дело в том, что сто-, двухсот- и трехсоткиловольтные модели просвечивающих электронных микроскопов требуют очень сильного утонения образца (до 100-200 нм), и некоторые материалы меняют свои свойства при подобной обработке (они попросту теряют свойства массивных материалов). А не утонять образец для исследований на низковольтных моделях тоже нельзя – энергия пучка электронов будет недостаточна для прохождения через него. Решить данную проблему позволяют JEM-ARM1000 и JEM-ARM1300. В них можно исследовать образцы толщиной до одного микрометра, которые полностью сохраняют свои свойства.
Другим важным преимуществом «мегавольтников» является относительно большое расстояние между полюсными наконечниками. Благодаря этому можно создавать специальную среду для исследуемых образцов, проводить механические и термические испытания «под пучком», работать при низких температурах и т.д.
Ключевые преимущества
Высокая стабильность параметров электронно-оптической колонны.
• Возможность исследовать относительно толстые образцы.
• Возможность наклона образца на большие углы и проведения ПЭМ- томографии.
• Возможность работы в ПРЭМ-режиме.
• Возможность подключения спектрометра характеристических потерь энергии электронов.
• Возможность исследовать радиационную устойчивость образцов к высокоэнергетическим пучкам электронов и различных ионов (опция).
| РАЗРЕШЕНИЕ | ||
| В режиме ПРЭМ | 2,0 нм (при ускоряющем напряжении 1000 кВ) | |
| В режиме ПРЭМ по точкам | 0,12 нм (при ускоряющем напряжении 1250 кВ) 0,16 нм (при ускоряющем напряжении 1000 кВ) |
|
| В режиме ПРЭМ по решетке (предел информации) | 0,10 нм (при ускоряющем напряжении 1000 кВ) | |
| ДИАПАЗОНЫ УВЕЛИЧЕНИЙ | ||
| В режиме ПРЭМ | x 20’000 ～ x 2’000’000 | |
| В режиме ПЭМ | x 200 ～ x 1’200’000 | |
| ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ | ||
| Материал катода | LaB6 | |
| Предустановленные значения ускоряющего напряжения | 400, 600, 800, 1000, 1250 кВ | |
| СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ КОЛОННЫ | ||
| Стабильность ускоряющего напряжения 1000 кВ | ≤8 x 10-7/мин. | |
| Стабильность ускоряющего напряжения 1250 кВ | ≤10-6/мин. | |
| Стабильность тока объективной линзы | ≤5 x 10-7/мин. | |
| СТОЛБИК ОБРАЗЦОВ | ||
| Тип столика | Эвцентрический бокового ввода | |
| Диаметр образца, мм | 3 | |
| Максимальный угол наклона образца | ±45° / ±45° | |
| Диапазоны перемещений по осям X и Y, мм | ±1 | |
| Диапазоны перемещений по оси Z, мм | ±0,5 | |
| ИОННЫЙ УСКОРИТЕЛЬ (ОПЦИЯ) | ||
| Количество портов для ионного пучка | 2 | |
| Максимальное ускоряющее напряжение, кВ | 400 | 300 |
| Стабильность ускоряющего напряжения | <10-4 | |
| Тип ионного источника | Ионный источник Фримана с распыляемым катодом | |
| Ионы в пучке | Fe+,Ti+,Ni+,Ag+ | H+,He+,Ne+,Ar+ |
| Максимальный ток эмиссии, мкА | 30 (Fe+) | 100 (Ar+) |
| Угол отклонения пучка, градусы | 44 | |
| Тип фокусирующей линзы | Электростатическая квадрупольная | |
| Диаметр ионного пучка, мм | 1 | |
| Максимальный ток пучка, нА | 3 (Fe+) | 10 (Ar+) |
