Этот прибор — оптимальное решение для исследований в области нанотехнологий, включая нанобиотехнологии, материаловедение и полупроводниковую промышленность.
Встроенный Омега-фильтр позволяет решать аналитические задачи, а также существенно улучшает контраст изображений, даже при работе с толстыми или замороженными образцами.
Микроскоп JEM-2200FS имеет встроенную прецизионную ПЗС камеру, взамен традиционного флуоресцентного экрана и бинокуляра.
Как и все ПЭМ последнего поколения, данный микроскоп имеет полностью автоматическую систему управления.
От базовых исследований к сложным экспериментам
Просвечивающий электронный микроскоп – это необходимый инструмент для целого спектра исследований в области изучения материалов на наноуровне, включая биотехнологии и материаловедение, а также в разработке полупроводниковых технологий.
JEM-2200FS – единственный аналитический электронный микроскоп, оснащенный 200-кВ пушкой с катодом Шоттки и встроенным в колонну, полностью интегрированным, энергетическим фильтром, который позволяет не только получать отфильтрованные изображения, но и проводить элементный и химический анализ образцов.
Встроенный в колонну омега-фильтр
Энергетический фильтр, встроенный в колонну, позволяет получать отфильтрованные изображения и электронные спектры без энергопотерь. Он дает возможность получать данные без искажений, что достигается благодаря оптимально спроектированной электронно-оптической системе.
Система контроля
Основные компоненты JEM-2200FS, такие, как электронно-оптическая система, каретка гониометра и вакуумная система полностью контролируются управляющим компьютером. Высокая стабильность данной системы обеспечивает высокое качество получаемых данных.
Система визуализации
Новая система визуализации, состоящая из четырехступенчатых промежуточных линз и двухступенчатых проекционных линз, позволяет получать бесповоротные отфильтрованные изображения и картины дифракции в широком диапазоне увеличений и длин камеры.
Гониометр с пьезоподвижкой
Платформа гониометра, оснащенная пьезоприводом, обеспечивает плавные перемещения образца при работе на высоких увеличениях, а также полностью компенсирует дрейф, делая возможным спектральный анализ на атомном уровне и ПЭМ-томографию.
Дооснащение ЭДС
При необходимости проведения анализа элементного состава исследуемых образцов JEM-2200FS комплектуется энергодисперсионным спектрометром (ЭДС).
Дооснащение цифровыми камерами
В зависимости от типов исследуемых образцов и решаемых научных задач, JEM-2200FS может быть дооснащен ПЗС-камерами как бокового, так и нижнего крепления. Камера бокового крепления обеспечивает очень широкое поле зрения и не требует большого времени экспозиции образца, благодаря чему применяется для работы с объектами, чувствительными к воздействию электронного пучка. Камера нижнего крепления обеспечивает высокое пространственное разрешение и используется для исследований стабильных материалов.
| Тип полюсного наконечника | Ультравысокого разрешения | Высокое разрешение | С большим углом наклона образца | Криогенный | Высококон-трастный |
| РАЗРЕШЕНИЕ | |||||
| По точкам, нм | 0,19 | 0,23 | 0,25 | 0,27 | 0,31 |
| По решетке, нм | 0,1 | 0,14 | |||
| Энергетическое разрешение | 0,8 эВ (пик нулевых потерь ПШПВ) | ||||
| УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ | |||||
| Предустановленные значения | 80, 100, 120, 160, 200 кВ | ||||
| Минимальный шаг изменения напряжения | 50 В | ||||
| Сдвиг по шкале энергий | до 3’000 В (шаг 0,2 В) | ||||
| ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ | |||||
| Тип эмиттера | ZrO/W (100) катод Шоттки | ||||
| Яркость | не менее 4×108 A/(см²*стерадиан) | ||||
| Степень вакуума в пушке | 10-8 Па | ||||
| Ток пучка | 0,5 нА при диаметре пучка 1 нм | ||||
| СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ КОЛОННЫ | |||||
| Высокое напряжение | 2х10-6/мин. | ||||
| Ток объективной линзы | 1х10-6/мин. | ||||
| Ток линзовой системы фильтра | 1х10-6/мин. | ||||
| ПАРАМЕТРЫ ОБЪЕКТИВНОЙ ЛИНЗЫ | |||||
| Фокусное расстояние | 1,9 мм | 2,3 мм | 2,7 мм | 2,8 мм | 3,9 мм |
| Коэффициент сферических аберраций | 0,5 мм | 1,0 мм | 1,4 мм | 2,0 мм | 3,3 мм |
| Коэффициент хроматических аберраций | 1,1 мм | 1,4 мм | 1,8 мм | 2,1 мм | 3,0 мм |
| Минимальный шаг фокуса | 1,0 нм | 1,4 нм | 1,8 нм | 2,0 нм | 5,2 нм |
| ДИАМЕТР ФОКУСНОГО ПЯТНА НА ОБРАЗЦЕ | |||||
| В режиме ПЭМ | от 2 до 5 нм | от 7 до 30 нм | |||
| В режиме ЭДС | от 0,5 до 2,4 нм | от 1,0 до 2,4 нм | - | от 4 до 20 нм | |
| В режиме нормальной дифракции | - | - | |||
| В режиме дифракции в сходящемся пучке | от 1,0 до 2,4 нм | - | |||
| ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ДИФРАКЦИИ В СХОДЯЩЕМСЯ ПУЧКЕ | |||||
| Угол схождения 2α） | от 1,5 до 20 мрад. | - | |||
| Угол сбора | ±10° | - | |||
| ДИАПАЗОНЫ УВЕЛИЧЕНИЙ | |||||
| В режиме высоких увеличений | От 2’000 до 1’500’000 | От 2’000 до 1’200’000 | От 1’500 до 1’000’000 | От 1’2000 до 600’000 | |
| В режиме низких увеличений | От 50 до 1 500 | ||||
| В режиме дифракции | От 10’000 до 800’000 | От 8’000 до 600’000 | От 8’000 до 500’000 | От 5’000 до 400’000 | |
| ДЛИНА КАМЕРЫ | |||||
| В режиме дифракции в сходящемся пучке (мм) | От 150 до 1’500 | От 200 до 2’000 | От 250 до 2’500 | От 300 до 3’000 | |
| ДИСПЕРСИЯ СХПЭЭ | |||||
| На щели энергоселектора | 1,2 мкм/эВ при 200 кВ | ||||
| На регистрирующем устройстве | от 50 до 300 мкм/эВ при 200 кВ | ||||
| ДИАПАЗОНЫ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ И УГЛОВ НАКЛОНА ОБРАЗЦА | |||||
| Перемещение по осям X и Y | ±1 | ||||
| Перемещение по оси Z | ±0,1 мм | ±0,2 мм | |||
| Наклон образца по осям X / Y | ±25°/ ±25° | ±35°/ ±30° | ±42°/ ±30° | ±60°/ - | ±38°/ ±30° |
