Под заказ

Фоторезист для гальванического осаждения KAYAKU Microchem KMPR 1000

Артикул: 5-354155

  • Резист: Негативные фоторезисты
  • Толщина мкм: 8-100
  • Длина волны экспонирования: 350-400 нм
  • Проявитель: TMAH, SU-8 developer и др.
  • Сниматель: Remover PG

В данном разделе приведены резисты, используемые в самых разнообразных технологиях, но отличные от стандартных резистов либо по способу нанесения, либо по диапазону толщин.

Основные характеристики

Применение

Резист

Толщина, мкм

Тональность

Длина волны экспонирования

Проявитель

Сниматель

Нанесение распылением

Microchemicals  TI Spray

1-20

обращаемый

i,h,g линии

AZ 826 MIF, AZ 400K

AZ 100 Remover

Allresist AR-P 1200

0,5-10

позитивный

i,h,g линии

AR 300-44

AR 300-76,AR 300-73

Allresist AR-N 2200

0,5-10

негативный

i,h,g линии

AR 300-44

AR 300-76,AR 300-73

Нанесение окунанием

AZ PL 177

1-10

обращаемый

310 — 440 нм

AZ 400K, AZ 826MIF и др.

Станд. сниматели

Получение диэлектрических защитных или переходных слоёв

 

Dow Cyclotene

4000

2-20

негативный

i, g линии

DS3000, DS2100

Prime Stripper A

Dow Intervia 8032

8-16

негативный

broadband

CD-26 Developer

Станд. сниматели

Толстоплёночные позитивные резисты

AZ 4500

2,5-15

позитивный

320-440 нм

TMAH, KOH и т.п

AZ 100 Remover

 

15-150

позитивный

i, g, h линии

AZ 300 MIF

Станд. сниматели

 

5-20

позитивный

320-440 нм

AZ 400 K, AZ 300 MIF

AZ 400T, AZ 300T

Условия поставки

Резисты для специального применения поставляются под заказ

Упаковка

Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма.

Хранение и транспортировка

Срок годности и условия хранения резистов для специального применения указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка материалов недопустима (за исключением Dow Cyclotene).

 

Запросить цену в 1 клик
Комментарии