Резисты компании Microresist Technology широко применяются для создания структур с помощью оптической, УФ и электронной литографии. Кроме того, имеются резисты для наноимпринтной (нанопечатной) литографии и органическо-неорганические гибридные полимеры для создания микро- и нанооптических структур.
Фоторезисты серии ma-P 1200
Позитивные фоторезисты серии ma-P 1200 используются в процессах жидкостного и сухого травления, в качестве маски для ионной имплантации, а также в процессе электроосаждения. Серия включает в себя следующие наименования: ma-P 1205 / 1210 / 1215 / 1225 / 1240 / 1275. Данные материалы отличает высочайшая стабильность рисунка в процессе жидкостного травления и в кислотных и щелочных ваннах при гальваническом осаждении. Отмечается высокая стабильность в процессах сухого травления (CHF3, CF4, SF6). Фоторезисты серии ma-P 1200 могут быть проявлены воднощелочными растворами и относительно легко удалены. Широкий спектр доступных вязкостей позволяет выбрать оптимальный фоторезист для получения желаемой толщины плёнки.
- Тон: позитивный.
- Толщина плёнки: 0,5 – 7,5 мкм.
- Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
- Проявление: воднощелочными растворами.
