Фоторезисты негативные

• Минимальный размер элемента 6 нм
• Коэффициент преломления 1,41
• Концентрация примесей металлов < 10 ppb

• действует как негативный фоторезист;
• низкое значение диэлектрической постоянной;
• устойчивость к химическим воздействиям;
• доступы вязкости от 34 до 1950 сСт.;
• низкие потери на высоких частотах;

• Тон: обращаемый (image-reversal).
• Толщина плёнки: 2,5 – 5 мкм.
• Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
• Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.

• Тон: обращаемый (image-reversal).
• Толщина плёнки: 6 – 20 мкм.
• Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
• Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.

Обращаемые (Image-reversal) фоторезисты для нанесения аэрозольным распылением. Предназначены для процессов обратной литографии и жидкостного химического травления и могут быть использованы как позитивные или обращены и использованы как негативные. Вязкость этих фоторезистов подобрана таким образом, что позволяет использовать их для аэрозольного распыления и получать плёнки толщиной от 2 до 20 мкм (TI Plating) и от 1 до 10 мкм (TI Spray).

• Тон: обращаемый (image-reversal).
• Толщина плёнки: 1 – 10 мкм (TI Spray), 2 – 20 мкм (TI Plating).
• Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
• Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
• Жидкости для обратной литографии: PGMEA, NMP, MMP, EEP, DMF или ацетон.
• Удаление: AZ 100 Remover или ацетон.
• Техническое описание: TI Spray.pdf, TI Plating.pdf.

• Обращаемые (Image-reversal) фоторезисты для нанесения аэрозольным распылением. Предназначены для процессов обратной литографии и жидкостного химического травления и могут быть использованы как позитивные или обращены и использованы как негативные. Вязкость этих фоторезистов подобрана таким образом, что позволяет использовать их для аэрозольного распыления и получать плёнки толщиной от 2 до 20 мкм (TI Plating) и от 1 до 10 мкм (TI Spray).
• Тон: обращаемый (image-reversal).
• Толщина плёнки: 1 – 10 мкм (TI Spray), 2 – 20 мкм (TI Plating).
• Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
• Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
• Жидкости для обратной литографии: PGMEA, NMP, MMP, EEP, DMF или ацетон.
• Удаление: AZ 100 Remover или ацетон.
• Техническое описание: TI Spray.pdf, TI Plating.pdf.

• Тон: негативный.
• Толщина плёнки: 1 – 100 мкм.

• Тон: негативный.
• Толщина плёнки: 4 – 120 мкм.
• Экспонирование: i-линия (365н м) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
• Проявление: 2,8% TMAH, SU-8 developer или KOH.

• Тон: позитивный.
• Толщина плёнки осаждённого материала: 0,02 – 5 мкм
• Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм), ГУФ, 193 нм или электронным пучком.
• Проявление: TMAH и другие металлосодержащие проявители.
• Удаление: Remover PG.

• Тон: негативный.
• Толщина плёнки: 4 – 120 мкм.
• Экспонирование: i-линия (365н м) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
• Проявление: 2,8% TMAH, SU-8 developer или KOH.

• Тон: позитивный.
• Толщина: 0,2 – 2 мкм.
• Экспонирование: электронным пучком, рентгеновскими лучами или ГУФ.
• Проявление: MIBK.

• Тон: позитивный.
• Толщина: 0,2 – 2 мкм.
• Экспонирование: электронным пучком, рентгеновскими лучами или ГУФ.
• Проявление: MIBK.