Новый растровый электронный микроскоп компании JEOL, JSM-7200F, разрабатывался как универсальный прибор, способный работать практически с любыми образцами и решать практически любые задачи. Этот РЭМ позволяет изучать даже магнитные, электронепроводящие, биологические, а также чувствительные к воздействию электронного пучка образцы. Примененная в нем запатентованная компанией JEOL технология Shottky Plus позволяет достигать высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях (1,6 нм при 1 кВ), а также получать высокие токи пучка – до 300 нА.
Высокое значение максимального тока пучка и наличие большого количества портов в камере образцов JSM-7200F позволяют оснащать этот РЭМ множеством различных приставок:
• энергодисперсионным спектрометром;
• спектрометром с дисперсией по длинам волн;
• детектором дифракции отраженных электронов;
• системой катодолюминесценции;
• спектрометром комбинационного рассеяния света;
• системой микро-рентгеновского флуоресцентного анализа;
• наноманипуляторами;
• ПРЭМ-детектором;
• системой РЭМ-томографии Gatan 3View;
• спектрометром мягкого рентгеновского излучения и др.
Также JSM-7200F может быть дооснащен специальными столиками для нагрева, охлаждения или растяжения/сжатия образцов.
Гибридная коническая объективная линза JSM-7200F является комбинацией электромагнитной и электростатической линз. Ее конструкция позволяет полностью исключить воздействие магнитного поля линзы на образец, что очень важно для исследования магнитных материалов, а также для получения картин дифракции отраженных электронов. Энергетический фильтр и так называемая система TTL (“through-the-lens”), встроенная в электронную колонну JSM-7200F базовой комплектации, позволяет получать изображения, используя электроны только с определенными энергиями. Это дает возможность оператору РЭМ JSM-7200F получать массу дополнительной информации об объектах исследований.
Используемая в JSM-7200F технология большой глубины фокуса LDF (long depth of field) позволяет проводить анализ больших площадей рельефных или наклонных образцов, не перемещая предметный столик РЭМ. Она крайне полезна при работе с детектором дифракции отраженных электронов, который требует наклона образца под углом 70°. Особенно хорошо технология LDF проявила себя при построении больших карт ориентации кристаллитов и полей остаточных напряжений.
• минимизирует загрязнение камеры образцов и электронно-оптической колонны, а значит продлевает срок службы термополевого катода и диафрагм;
• в несколько раз уменьшает время замены образцов;
• снижает нагрузку на систему откачки микроскопа и тем самым продлевает ресурс турбомолекулярного и ионных насосов;
• сводит к нулю риск повреждения сверхтонких окон энергодисперсионного и волнодисперсионного спектрометров.
Разрешение в режиме высокого вакуума | 1,2 нм (30 кВ), 1,6 нм (1 кВ), 3,0 нм (15 кВ, 5 нА, рабочий отрезок 10 мм) |
Разрешение в режиме низкого вакуума | 1,8 нм (30 кВ, 30 пА) |
Тип катода | Термополевой (Шоттки) |
Увеличение | х10- x1 000 000 |
Ускоряющее напряжение | 10 В - 30 кВ |
Ток пучка | 1 пА - 300 нА |
Линза, оптимизирующая угол вхождения пучка в диафрагму | Встроена по умолчанию |
Энергетический фильтр | Доступен в базовой комплектации |
Предметный столик | Эвцентрический гониометрический столик |
Моторизованный по 5-ти осям | |
Диапазон перемещений: X: 35 мм, Y: 50 мм, Z: 39 мм | |
Наклон: от -5° до 70° | |
Вращение: 360°, непрерывное | |
Диапазон рабочих отрезков | от 2 до 41 мм |
Вакуумный шлюз | Входит в базовую комплектацию |
Низковакуумный режим | Доступен |
Давление в камере образцов при работе в низковакуумном режиме | От 10 до 300 Па |
Вакуумная система | Полностью автоматизирована |
Ионный насос — 2 шт. | |
Турбомолекулярный насос — 1 шт. | |
Форвакуумный ротационный насос — 2 шт. | |
Устанавливаемые опции | Энергодисперсионный спектрометр |
Спектрометр с дисперсией по длинам волн | |
Система дифракции отраженных электронов | |
Система катодолюминесценции | |
Наноманипуляторы | |
Детектор тока, индуцированного пучком (EBIC) | |
Система РЭМ-томографии Gatan 3View | |
Спектрометр мягкого рентгеновского излучения |