Эпитаксиальные пластины кремния применяются в производстве высокопроизводительных микросхем, радиационно-стойкой электроники, дискретных приборов на контактах металл-полупроводник. Основным преимуществом данных пластин по сравнению с пластинами монокристаллического кремния является наличие p-n перехода между приборным слоем и основной частью подложки — это позволяет уменьшить токи утечки, паразитные явления между соседними элементами, а значит снизить электрическую мощность, потребляемую конечными изделиями.
Основные характеристики
Параметр
Значение
Метод выращивания
CZ или FZ
Диаметр, мм
100, 125, 150
Легирующая примесь
Sb, As, P (n-тип); B (p-тип)
Удельное объёмное сопротивление, Ом-см
>0,007
Кристаллографическая ориентация
<100> или <111>
Толщина несущего слоя, мкм
350 — 700
Отклонение толщины несущего слоя от номинала по пластине, мкм
± 5 мкм
Толщина слоя скрытого диэлектрика, мкм
0,2 — 4,0
Толщина приборного слоя, мкм
2 — 200
Отклонение толщины приборного слоя от номинала по пластине, мкм
± 0,5 или ±1
Обратная сторона пластины
Шлифовано-травленная или полированная
Условия поставки
Эпитаксиальные пластины кремния могут иметься на складе, но в большинстве случаев они изготавливаются и поставляются под заказ согласно спецификации заказчика.
Упаковка
Эпитаксиальные пластины кремния упакованы в стандартные контейнеры по 25 пластин. Пластины с малой толщиной могут быть упакованы в индивидуальные контейнеры. Все контейнеры упаковываются производителями в чистых помещениях класса не хуже ISO 5 и помещаются в металлизированный пакет, обеспечивающий защиту от влаги и вредных газов, содержащихся в атмосфере.
Хранение и транспортировка
Срок годности пластин неограничен при условии хранения в инертной среде. Пластины хранятся в специальных шкафах, наполненных азотом и при пониженной влажности воздуха. Транспортировка пластин осуществляется согласно правилам перевозки хрупких грузов.
