Арсенид галлия (GaAs), являясь важнейшим полупроводником группы AIIIBV, находит широкое применение в производстве полупроводниковых приборов.
Данный материал обладает определёнными преимуществами по сравнению с кремнием. Он имеет большую подвижность и скорость насыщения для электронов, что позволяет создавать транзисторы с частотами свыше 250 Ггц. В отличие от кремниевых p-n переходов, приборы на основе арсенида галлия менее восприимчивы к изменению температуры. Также приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые при работе на высоких частотах. Арсенид галлиевые приборы могут работать на более высоких уровнях мощности, поскольку имеют более высокие напряжения пробоя. Благодаря всем этим свойствам, арсенид галлиевые микросхемы широко применяются в производстве мобильных телефонов, устройств спутниковой связи, микроволновых приборов и некоторых радарных систем.
Поскольку арсенид галлия обладает высоким удельным электрическим сопротивлением, а также высоким значением диэлектрической постоянной, этот материал часто используется в качестве изолирующей подложки и, в отличие от кремния, обеспечивает надежную изоляцию между различными приборами. Это сделало арсенид галлия идеальным материалом для высокочастотных интегральных схем, где активные и пассивные компоненты могут быть изготовлены на одной пластине.
Основные параметры* кремниевых пластин WaferWorld
Параметр Значение Диаметр, мм 25,4; 50,8; 76,2; 100; 150 Легирующая примесь собственный, Zn, Te, Si Удельное объёмное сопротивление, Ом-см 0.003 - 1018 Кристаллографическая ориентация (100); (110); (111) Отклонение ориентации поверхности от заданной кристаллографической плоскости, град < 1 Толщина пластины, мкм 275 - 3000 Общее изменение толщины по пластине (TTV), мкм < 10 Отклонение толщины от номинала партии, мкм от 5 Полировка одно- или двусторонняя * параметры, не указанные в таблице, соответствуют международным стандартам SEMI
Условия поставки
Поставка под заказ.
Упаковка, хранение и транспортировка
Пластины упакованы в кассеты по 25штук, запечатаны в вакуумный пакет.
