Для увеличения быстродействия транзисторов при снижении топологической нормы в качестве подзатворных диэлектриков используются материалы с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO2, MgF2 и т.п.). Толщина подзатворного диэлектрика при этом составляет несколько нанометров, и для создания столь тонких плёнок используют процессы атомно-слоевого осаждения (Atomic Layer Deposition — ALD). В создании гетероэпитаксиальных структур для светодиодов и СВЧ устройств требуется использование атомарных прекурсоров для создания гетерогенных слоёв типа AlGaN, InGaP и других. Также при использовании технологий гальванического осаждения для заполнения глубоких высокоплотных выводов требуется создавать тонкие барьерные слои и слои для посева металла. Все эти разнообразные технологии основаны на использовании металлоорганических соединений, которые служат источником высокочистых металлов. Наша компания поставляет широкий спектр веществ, используемых для процессов ALD, MOCVD.
Основные товары:
- триметилалюминий (TMAl);
- бисциклопентадиэнил-магний (Cp2Mg);
- триметилиндий (TMIn);
- триметилгаллий (TMGa);
- триэтилгаллий (TEGa)
- тетраэтилортосиликат (TEOS)
Условия поставки
Металлоорганические соединения поставляются под заказ.
Упаковка
Металлоорганические соединения поставляются в стальных герметичных контейнерах с коннекторами под оборудование заказчика. Контейнеры возвращаются производителю после использования.
Хранение и транспортировка
Срок годности металлоорганических соединений и условия хранения указаны в описании на данные материалы. Металлоорганические соединения транспортируются согласно правилам перевозки опасных грузов
